传统电容器因采用不一样材料做为绝缘体而形成不一样的电容器，例如电解电容（Electrolytic Capacitor）、钽质电容（Tantalum Capacitor），以及主流的多层陶瓷电容（）等。他们是电子系统中最常见的被动元件之一，受到高温、频率或直流偏压等因素的影响，他们也成为故障率最高的元件之一。未解决这个问题并满足更广泛恶劣环境应用之需求，以硅材料做为绝缘体，且以半导体技术加以制造的（Silicon Capacitor，Si-Cap）开始在市场上崭露头角。
当前硅电容器在结构上多半采用三层式「金属／绝缘体／金属」（Metal-Insulator-Metal，MIM）形式，另外也有多 MIM 结构的硅电容器，其每一个 MIM 结构都负责蓄存一部分的静电电容，多个 MIM 堆叠能增加总静电电容值。
在绝缘体部分，当前硅电容器多半采用二氧化硅或氮化硅等绝缘硅介电质材料，进而形成「金属／绝缘层／半导体」（MIS）或金属／氧化物／半导体」（MOS）等三层式结构。两者皆为当前高密度电容器的主要绝缘材料，已然成为业界追求高稳定性、高可用性及耐高温等恶劣环境应用的最佳选择。
日厂村田制作所（Murata Manufacturing）旗下子公司 MIPS（Murata Integrated Passive Solutions，前身为法国硅被动元件厂商 IPDiA，2016 年村田收购，2017 年更名）的高密度硅电容器技术便是采用内埋在非晶基板的单 MIM 或多 MIM 结构。高密度硅电容器是采用半导体 MOS 制程开发，并使用 3D 纳米结构增加更高的电极表面积，进而获得更高的静电电容值。
当前硅电容器所采用的主流半导体技术莫过于深沟式（Deep Trench）技术，例如美商予力半导体（Empower Semiconductor）推出 E-Cap 品牌硅电容器便采用深沟技术。不过，爱普科技（AP Memory）新推 IPD 硅电容器产品线D DRAM 堆叠技术开发。
随着高度整合、高性能与微型化等需求的一直增长，高密度超深沟硅电容器开始受到市场青睐，实现被动元件主流技术莫过于被动整合连接基板（PICS）制程技术，制程能结合多芯片模组（mcm）和芯片直接封装（COB）等技术，开发出体积更小的超低功耗组件。制程技术不但能将许多基本功能整合到单一产品，降造成本，同时有助硅电容器容积效率持续提升。
相对于传统电容器，硅电容器具备许多显著的优势，首先是高稳定度，即使在高温下依旧稳定如常，目前最大耐受高温可达 250°C，这使它成为适用航空、车用、军用乃至石油勘探等恶劣环境应用的最佳选择。虽然元件仍有最大电容值的限制，但基本上不受电容老化的影响（MIPS 硅电容器常规使用的寿命至少 10 年），即使面对会让MLCC电容器大受影响的直流偏压，可靠性和电容值都不会因此下降。
其次，高密度硅电容器有助于带动高性能零组件的微型化发展，进而大大降低电子元件的功耗与成本。以 MIPS 新推的硅电容器而言，厚度仅 40µm，比起MLCC电容器薄得多。再者是极佳的漏电流（Leakage current）稳定性表现，对于传统电容器而言，高温、应力、充电电压乃至介电质厚度都会对漏电流造成影响。由于硅电容器具备良好的绝缘性能及绝缘电阻值，因而成为耦合、阻隔及时序电路的最佳选择。
爱普科技说法，传统电容通常放在电路板上，随着高效能 SoC 的功耗越高、电压越低，电容器因此被迫移至接脚侧（land side），以便更靠近 SoC。但传统 MLCC 电容器受限于体积与密度并不足以满足这样的需求，这样的重责大任便落到高密度、超薄的硅电容器身上。
不可讳言的，硅电容器当然也有一些值得改进的缺点，包括有限的最大电容值以及漏电荷问题。由于电容值会与二氧化硅介电质材料面积成正比，而与二氧化硅介电质的厚度成反比，因此电子元件制造商一直在缩减二氧化硅介电质的厚度，来满足小型化和高密度微电子元件的需求。但偏偏二氧化硅介电质薄膜缩得越薄，漏电荷的状况反而会更严重，如此一来，电容器便难以储存电荷。目前针对这两个主体问题的解决之道，除改进制程外，重点会放在寻找替代性介电质。
拜硅电容器优势所赐，硅电容器完全相容支援 MIS / MOS 后端技术，所以能做为被动整合平台的一部分。再者元件也适合以异质整合的方式结合 CMOS、MEMS、多芯片模组或覆晶接合（flip-chip）等各种技术，应用于系统级封装（system in chip，SiP）或系统单芯片（system on chip，SoC）。元件且适用单颗芯片之表面黏着（SMD）电容器的开发。
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