具有接地端子阻抗较低的优势，这渐渐的变成了消除高频噪音的功能关键。为发挥该优势，就需求在PCB结构规划方面多加留意，接地端的结构要尽量规划得短而粗。封装于多层基片时也可以按照相同的考虑。

　　图1是针对在多层基片上改动三端子电容器的封装办法，从而改动与GND层的衔接状况后的噪声消除的不同作用的查询示例。在此示例中，GND层被放置在MCU封装面相对一侧的邻近方位。在A示例中，是将三端子电容器封装于MCU封装面相对一侧的GND层邻近，缩短与GND层之间的衔接。与此相对，在C示例中，是将三端子电容器封装于MCU相同面，其结果是与GND层之间的间隔也善于A示例。可以精确的看出A和C的噪音等级存在着显着的差异。在考虑GND结构时，很简单进行平面思想，但Via长度相同是需求考虑的。此外，图1的B示例对三端子电容器的电源输入输出没有像A相同明确地进行别离，而是在同一层经过。（由于很难进行书面阐明，请参照阐明图。）此刻的噪音等级多少会高于A时的噪音等级。这被以为是由于三端子电容器的进口和出口的via很挨近，所以一部分噪音未在三端子电容器中经过，而是经过Via之间的电容耦合进行了旁路。这样，为发挥三端子电容器的功能，就必须要分外留意电容器的外部结构。图2记载了片状三端子电容器的封装关键，请进行参照。

　　片状三端子电容器一般运用的办法是对期望下降电源线等噪音的线路进行切开后刺进其间，然后衔接GND端子。（图3）最近，呈现了稍显不同的衔接办法，下面对此进行阐明。该办法适用于将三端子电容器作为IC电源的旁路电容器进行运用时优先安稳IC电压变化的状况。图4表明便是该衔接办法。不同于图3的状况，这种办法是在不断电形式的状况下，将两端子衔接于电源线。由于是电源线不贯穿三端子电容器的衔接办法，所以这种衔接办法被称为“非贯穿衔接”。经过这种作法，电源线和电容器之间变成并联，因而这一部分的阻抗会折半，以此来下降旁路阻抗，从而下降IC的电压变化。别的，如图所示，GND端的Via和电源端的Via相邻而置，由此彼此抵消两方电流所发生的磁通，该部分的电感效应显着下降，具有逐渐下降阻抗的作用。可是，由于与堵截电源线刺进三端子电容器的状况不同，一部分的噪音在不经由三端子电容器的状况下经由电源线经过，所以此种办法在下降外流噪音的作用影响方面要少于惯例的衔接办法。